Новости электроники и оптики

Разработанная в России операционная система для защищенной от шпионов работы с секретной информацией прошла испытания и готова к запуску в серию, сообщил РИА Новости Александр Калинин — директор департамента разработчика отечественной "операционки" "Объединенной приборостроительной корпорации" (ОПК).

"Ростех" будет сотрудничать с "Ростелекомом"

Как стало известно "Ъ", "Ростех" и "Ростелеком" подпишут соглашение о долгосрочном сотрудничестве, призванном сократить конкуренцию между госкомпаниями в IT-секторе. Первым шагом станет создание СП на базе ООО "Национальный центр информатизации" для разработки программной IT-платформы, в которую планируется инвестировать около 200 млн руб.

Российское радиоэлектронное оборудование, изначально предназначавшееся для вертолетоносцев типа "Мистраль", может быть установлено на перспективные российские корабли, также рассматривается возможность поставок этих систем будущему покупателю "Мистралей", сообщил журналистам в четверг замминистра обороны РФ Юрий Борисов.

"Концерн Радиоэлектронные технологии" (входит в Ростех) готов оснастить вертолетоносцы типа "Мистраль", ранее строившиеся в интересах ВМФ РФ, комплексами радиоэлектронной защиты 5П28 ("Победитель"), сообщил в четверг РИА Новости официальный представитель КРЭТ. В настоящее время Франция ведет переговоры с Египтом о продаже ему двух кораблей типа "Мистраль", которые ранее строились для России. В четверг замминистра обороны РФ Юрий Борисов заявил, что РФ готова продать радиоэлектронное оборудование для "Мистралей" их будущему покупателю.

Совещание по развитию отечественной радиоэлектроники пройдет 29 сентября в Зеленограде, не исключено, что в нем примет участие высшее руководство страны, сообщил в четверг заместитель министра обороны РФ Юрий Борисов. "Я думаю, что наша радиоэлектронная отрасль не может пожаловаться на невнимание со стороны правительства и президента.

Все планы по реализации российского гособоронзаказа на 2015 год, несмотря на трудности, будут выполнены в назначенный срок, заявил заместитель министра обороны РФ Юрий Борисов в четверг в ходе XIV конференции "Российская радиоэлектроника — новые вызовы и перспективы". "В нынешней экономической ситуации, сложившейся в основном из-за санкций западных стран, нам приходится непросто. Тем не менее нам удается решать заданные задачи: по результатам 2014-го и предварительно 2015 года все планы по гособоронзаказу будут выполнены", — сказал Борисов.

Доля современных средств радиоэлектронной борьбы (РЭБ) в Вооруженных силах России к 2020 году может достичь 80-90%, сообщил в четверг заместитель министра обороны РФ Юрий Борисов. "По тем приоритетам, которые поставил Верховный главнокомандующий Вооруженными силами (президент РФ Владимир Путин — ред.), в среднем процент современных образцов техники к 2020 году должен быть не менее 70%. Что касается средств РЭБ, это уж точно не менее 70%, а ближе, наверное, к 80% и 90%", — приводит слова Борисова управление пресс-службы и информации Минобороны РФ.

Заместитель министра обороны России Юрий Борисов принял участие в 14-й отраслевой научно-технической конференции «Российская радиоэлектроника – новые вызовы и перспективы», проходившей в Казани. Как сообщили в Управлении пресс-службы и информации МО РФ, выступая на конференции, замглавы военного ведомства заявил, что российские производители радиоэлектроники держат ситуацию под контролем и успешно развивают свои компетенции.

Начиная с 2016 года, госпрограмма «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности на 2013-2025 годы» станет ключевым инструментом государственной поддержки отрасли. Об этом заявил заместитель министра промышленности и торговли РФ Андрей Богинский на открытии XIV отраслевой научно-технической конференции «Российская радиоэлектроника: новые вызовы и перспективы», которая начала работу 24 сентября в Казани.

Группа ученых из Корейского Университета и Samsung Electronics Corporation разработала новый тип тонкопленочных транзисторов на основе оксонитрида цинка, который значительно «быстрее» предшественников. Подвижность носителей заряда в материале достигает 138 квадратных сантиметров на вольтсекунду, что приблизительно на порядок выше, чем в обычных тонкопленочных транзисторах. Работа опубликована в Applied Physics Letters.