За два года стало ясно, что реформа РАН не принесла обещанного чиновниками эффекта

Академическая наука по итогам двух лет реформы никакого импульса к развитию не получила, считает вице-президент РАН, председатель Сибирского отделения Александр Асеев. Это мнение он высказал на общем годовом собрании научного сообщества. «ФАНО (Федеральное агентство научных организаций) теряет те бюджетные строчки, которые Академия приобрела тяжелым трудом», — цитирует Асеева РИА «Новости».

Ученые Института геологии и минералогии (ИГМ) Сибирского отделения РАН научились выращивать модифицированные алмазы, которые в перспективе могут стать одним из основных элементов для создания фотонного "компьютера будущего", сообщил журналистам директор института Николай Похиленко.

В зарплатный скандал в МФТИ вмешалось Минобрнауки

Администрация МФТИ попыталась урегулировать конфликт с преподавателями, недовольными размером зарплаты. В пятницу в вузе прошла трехсторонняя встреча: ректор Николай Кудрявцев и заместитель главы Минобрнауки Александр Повалко выслушивали претензии и предложения сотрудников.

Микроэлектронике стало тесно на земле

Развитие полупроводникового материаловедения за последние 30 лет привело к появлению новых высокоточных и наукоемких технологий с использованием глубокого и чистого вакуума. К ним относится молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). МЛЭ связана с выращиванием монокристаллических тонких пленок и многослойных структур, состоящих из разнообразных химических соединений и твердых растворов с полупроводниковыми, металлическими или изолирующими свойствами. Такие системы используются как исходный материал для изготовления многих приборов, интегральных схем, устройств микро- и оптоэлектроники.

14-15 ноября в Новосибирске состоится первый Международный форум технологического развития «Технопром-2013». В работе форума примут участие представители Правительства и Государственной Думы России, Министерства промышленности и торговли РФ, Военно-промышленной комиссии при Правительстве РФ, Агентства стратегических инициатив по продвижению новых проектов, видные учёные профильных институтов РАН и СО РАН.

В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН разработали технологию получения фоточувствительного материала в виде пленочных структур твердых растворов соединения теллурида кадмия и ртути (КРТ), которые предназначены для производства инфракрасных прицелов и систем наблюдения нового поколения.