В России разрабатывают энергонезависимую память на основе сегнетоэлектрического оксида гафния

В лаборатории функциональных материалов и устройств для наноэлектроники Московского Физтеха в 2025 году завершили испытания промышленных прототипов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрического оксида гафния (HfO₂), созданных совместно с российскими разработчиками микросхем и полупроводниковыми производствами. О чем идет речь?