Войти на сайт Зарегистрироваться Забыли пароль?

Российские ученые разработали новую технологию создания быстродействующих интегральных схем

  • 2012.05.07 20:05
  • разместил: Peter Tsk
Сотрудники НОЦ «Квантовые приборы и нанотехнологии» ФИАН и МИЭТ разработали технологию получения быстродействующей электронной компонентной базы нового поколения на основе квантовых эффектов резонансного туннелирования. Речь идет о технологии монолитной планарной интеграции резонансно-туннельных диодов, полевых транзисторов и диодов Шоттки. Она позволяет существенно увеличить быстродействие, снизить количество активных элементов цифровых интегральных схем и полностью совместима со стандартной технологией арсенид-галлиевых интегральных схем.

История твердотельной электроники началась с изобретения транзистора в 1947 году. С тех пор развитие электроники идёт по пути повышения быстродействия и увеличения плотности компоновки активных приборов в интегральной схеме, что достигается уменьшением их характерных размеров.