
Подготовка к росту тонкопленочного слоя сегнетоэлектрического HfO2 на пластину кремния диаметром 200 мм методом атомно-слоевого осаждения в лаборатории Андрея Маркеева Центра коллективного пользования уникальным научным оборудованием в области нанотехнологий МФТИ.
- Источник
- Станислав Любаускас, пресс-служба РНФ
- Размер
- 1170 x 780
- Вес
- ~79 kb
- Загружено
- 21.12.2025
- Загрузил
- ДВ
Код для вставки
Код для вставки миниатюры
Код для вставки миниатюры


