三星是世界上第一家在MRAM RAM中实现计算过程的公司。
磁阻RAM具有取代通常DRAM的潜力，具有许多优点。 但是，当涉及到直接在内存中进行计算时，存在许多问题。
正如三星科学家的科学工作所述，尽管该技术具有实际优势，但开发具有自旋矩传输的磁阻随机存取存储器阵列仍然是一项艰巨的任务。 复杂性与MRAM的低电阻相关联，这将导致在使用电流求和用于模拟乘法-累加运算的常规矩阵阵列中的高功耗。 该公司创建了一个基于MRAM单元的64×64跳线阵列，由于采用电阻求和进行模拟乘法累加运算的架构，克服了低电阻的问题。 该阵列与基于28纳米CMOS技术的读取电子集成。 使用该阵列，实现了两级感知器对10,000个手写数字进行分类，准确度为93.23％。 在具有测量误差的更深的八层神经网络视觉几何组-8的仿真中，分类精度提高到98.86％。 三星还使用阵列在十层神经网络中实现了一层，在人脸识别任务中实现了93.4％的准确率。
三星的开发可能允许使用mram内存中的计算来创建AI，包括作为通过模拟大脑突触连接来模拟大脑的平台。
