科学家 由等离子体激活的分子束外延获得的GaN的纳米线形状的演变并表示硅衬底上的垂直列的阵列由物理和应用数学研究所追踪 米特的。 由于晶体结构的高度完善和大的比表面积，来自GaN的纳米线可用于高效Led，挥发性化合物传感器，水的光分裂，减少co2排放到大气中等。
GAN纳米线的实验样品在 以保罗*德鲁德命名的固态电子研究所 （德国），他们的研究是在Helios NanoLab650电子-离子显微镜，MIET中的Titan Themis200透射电子显微镜上进行的，并在 欧洲同步辐射中心 .
FPM MIET研究所电子显微镜实验室员工
的雇员 电子显微镜实验室 fpm研究所使用聚焦离子束方法在离衬底不同距离处制备纳米线的横截面。 电子显微镜使我们能够确定它们最初具有六边形切割。 在相邻的纳米线闭合之后，在此情况下形成的凹部被过度生长并且纳米线的六边形形状被恢复。 用原子分辨率分析它们的电子显微图像表明，在生长过程中，在边缘的区域发生GAN分解，氮原子蒸发并在纳米线的表面上形成镓原子的薄膜。 由于所描述的过程，它们获得了更圆的形状。
所获得的结果加深了对GAN纳米线形成机理的理解，并对优化其培育技术具有重要意义。 该研究是在国家分配MIET的框架内进行的，主题为"关于电子和光子学纳米级材料和异质结构的合成过程和性质的想法的发展，结果已发表在期刊上"Nanoscale Advances" "Si（111）上分子束外延生长过程中GaN纳米线的截面形状演变" ,2022,(DOI: 10.1039/D1NA00773D ).
