Правительство будет добиваться полной технологической независимости России по оборонной элементной базе, сообщил вице-премьер Дмитрий Рогозин, выступая на заводе "Микрон" / г. Зеленоград / на открытии производства интегральных микросхем.
В свою очередь, первый зампред ВПК Юрий Борисов отметил, что открытие этой линии на основе технологии 90нм фактически привело к тому, что Россия вошла в ограниченный круг стран, которые могут заниматься современной микроэлектроникой.
"Производство полного цикла с R & D-центром позволит нам встроиться в мировой рынок, используя собственные ноу-хау и технологии", - сказал президент "Ситроникс" Сергей Асланян. Запуск новой линии позволит нарастить производственную мощность завода в два раза до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год. Общий бюджет проекта составляет 16,5 млрд. рублей, включая софинансирование РОСНАНО в размере 6,5 млрд. рублей.
«Собственная компонентная база обеспечивает независимость государства, поэтому то, что делают коллеги из СИТРОНИКС и РОСНАНО, будет полностью поддерживаться со стороны руководства страны», - прокомментировал заместитель Председателя Правительства Российской Федерации Дмитрий Рогозин.
«Для нас этот проект является стратегически важным, - отметил Генеральный директор ОАО «РТИ» Сергей Боев, - В основе любой инновации лежат достижения в области микро- и наноэлектроники. Россия стала восьмой страной в мире, обладающей технологией 90нм, и это позволит отечественным производителям занять ниши на рынках промышленной электроники, смарт-карт, систем мониторинга и безопасности».
«Успешный запуск проекта позволяет создать платформу для дальнейшего развития отечественной микроэлектронной отрасли и своевременно выйти на глобальный растущий рынок. Сейчас в мире доля продукции на чипах с топологией 90нм и выше составляет около 75%. Этот проект - яркий пример совместных государственных и частных инвестиций в высокотехнологичное производство», - заявил заместитель председателя правления ОАО «РОСНАНО» Андрей Малышев.
Микросхемы, изготовленные по технологии 90нм, будут использоваться в вычислительных комплексах, системах автоматизации производства, загранпаспортах, смарт-картах и применениях, связанных с электронным правительством. Отечественная производственная база позволит российским высокотехнологичным компаниям создавать устройства с уникальными свойствами, обеспечивающими их выход на мировые рынки.
Мы собрали лучшую в России команду инженеров и ученых, около 300 специалистов прошли стажировки на ведущих мировых производствах, а десятки инженеров, уехавших на работу за рубеж, возвращаются».
«Помимо выпуска серийной продукции, проект станет R&D-базой по тестированию и коммерциализации ноу-хау российских компаний в области микроэлектроники», - отметил руководитель «СИТРОНИКС Микроэлектроника» Геннадий Красников.
Для старта новой линии на заводе «Микрон» дополнительно построено 700 кв.м. чистых зон и расширена инфраструктура фабрики, установлено 45 дополнительных единиц оборудования. Всего в проекте приняли участие более 50 компаний из 12 стран мира. Более 110 инженеров завода прошли стажировки на партнерских производствах и исследовательских базах за рубежом.
ОАО «НИИМЭ и Микрон», предприятие с 48-летней историей, является крупнейшим по объемам продаж в России и СНГ производителем и экспортером микроэлектроники. ОАО «НИИМЭ и Микрон» входит в состав ОАО «СИТРОНИКС», где является головным предприятием бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектроника». Выручка направления в 2009 году составила 208, 1 млн. долларов США. Предприятие осуществляет поставки 400 заказчикам в России и 100 за рубежом, «Микрон» обладает мощной научной и инженерной школой, развивает собственный R&D центр, в котором работают около 400 человек. Предприятие на постоянной основе сотрудничает с более чем 60 научными организациями. Стоимость НИОКР составляет около 15% выручки предприятия. В компании заняты около 1700 сотрудников. В чистых комнатах «Микрона» расположено современное производство интегральных схем с топологическим уровнем 180нм и базовой технологией EEPROM. На предприятии реализуется совместный проект с ГК «РОСНАНО» по созданию на базе «Микрона» производства интегральных схем на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90нм на пластинах диаметром 200 мм.
