Войти

Росэлектроника выводит на рынок транзисторы для сетей связи 5G

4176
6
+8
Холдинг «Росэлектроника»
Холдинг «Росэлектроника».
Источник изображения: Ростех

Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех приступил к выпуску нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации. Опытные образцы СВЧ-приборов прошли испытания в составе аппаратуры квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и в настоящее время поставляются более 20 предприятиям для тестовой эксплуатации.


Транзисторы ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток».


Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности - от 9 до 13 дБ, КПД стока - не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.


Разработчиком изделий выступило воронежское АО «НИИ электронной техники» (в составе холдинга входит в Концерн «Созвездие»). Предприятие в настоящее время работает над расширением линейки GaN-транзисторов.


Гетероэпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов на его основе находят все более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. СВЧ/GaN-транзисторы в сетях связи позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот.


Как сообщалось, специалисты московского предприятия Росэлектроники - АО «ГЗ «Пульсар» совместно с совместно с Институтом сверхчастотной полупроводниковой электроники РАН (Москва) ранее провели работы по созданию приемопередающих модулей на основе GaN в диапазонах 23-25 ГГц и 57-64 ГГц.

Права на данный материал принадлежат
Материал передан ВПК.name правообладателем
  • В новости упоминаются
6 комментариев
№1
22.12.2017 02:52
Превосходно!
+2
Сообщить
№2
22.12.2017 09:48
Цитата, q
Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.
Вот молодцы ! Во всем видять только положительные стороны..
По факту, освоили монтаж импортных кристаллов в аналоги импортных корпусов (или прямо в импортные же корпуса), и их измерения, о чем прямо пишут на официальном сайте предприятия.
Цитата, q
Производство кристаллов для продукции НИИЭТ осуществляется лучшими отечественными и зарубежными фабриками.
Нет в России фабрик GaN.
А сколько пафоса в победных реляциях..
+1
Сообщить
№3
22.12.2017 11:49
Появление фабрик GaN в России неизбежно как восход Солнца утром. Потребности создания РЛС заставят.
+2
Сообщить
№4
22.12.2017 13:04
Обидно, что "разводят" нас всяк кому не лень. А между тем, технология низкотемпирарурной керамики GaN, крапйне необходима нам для создания РЛС с АФАР для Су-57, которая по своим характеристикам не уступала бы лучшим западным образцам.
+1
Сообщить
№5
22.12.2017 14:06
Цитата, beka1 сообщ. №3
Появление фабрик GaN в России неизбежно как восход Солнца утром.
Десять лет тому назад несколько ведущих контор России (в том числе и "Пульсар") уже пытались освоить эту технологию. Были получены опытные образцы, но по своим характеристикам они и близко не лежали с тогда уже серийной продукцией компании "Cree".
Но все дружно отчитались, что у нас все ОК, и "освоили" серийный выпуск.
Вот транзистор "Cree" 2010 года выпуска с аналогичными параметрами
А вот картинка ПП9137А с сайта НИИЭТ
Справедливости ради, нужно сказать, что недавно видел статью в каком-то журнале за 2017 год в которой специалисты НИИЭТ описывали GaN-транзистор собственной разработки. Параметры, правда, совсем скромные - около 4 Вт на 2 ГГц, при том, что для ПП9137А заявлено 10 Вт на 4 ГГц, а для ПП9138Б  аж 25 Вт на 4 ГГц.
Цитата, serzhik сообщ. №4
низкотемпирарурной керамики GaN
GaN - это не керамика, это полупроводник, используемый для изготовления мощных СВЧ приборов и крайне необходимый для мобильных АФАР.
+7
Сообщить
№6
23.12.2017 20:53
И тут 5-е поколение (и речь тут не про 3GPP-стандарты). Куда ни ткни - всюду пятое!
+2
Сообщить
Хотите оставить комментарий? Зарегистрируйтесь и/или Войдите и общайтесь!
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ
Ежедневная рассылка новостей ВПК на электронный почтовый ящик
  • Разделы новостей
  • Обсуждаемое
    Обновить
  • 23.12 21:53
  • 6602
Без кнута и пряника. Россия лишила Америку привычных рычагов влияния
  • 23.12 21:40
  • 0
Ответ на "В РФ ведется плановая замена кораблей третьего поколения на подлодки четвертого"
  • 23.12 20:15
  • 8550
Минобороны: Все авиаудары в Сирии пришлись по позициям боевиков
  • 23.12 13:31
  • 67
Уроки Сирии
  • 23.12 11:47
  • 2
Россия готова к дуэли "Орешника" и западных ПВО - Путин
  • 23.12 04:01
  • 1
Китайский флот нарастил количество установок вертикального пуска ракет до 50% от имеющихся в ВМС США
  • 23.12 03:15
  • 1
Ответ на "«Прототип бомбардировщика ПАК-ДА может быть близок к завершению»: британский министр оценил состояние стратегической авиации РФ"
  • 23.12 01:25
  • 1
Путин заявил, что уберег Россию, как просил Ельцин
  • 23.12 01:20
  • 1
Путин: бездействие РФ в 2022 году стало бы преступлением в отношении народа
  • 23.12 00:05
  • 0
Ответ на "В «Ростехе» рассказали о высокой оценке ЦРУ технических возможностей танка Т-34"
  • 22.12 21:34
  • 0
Ответ на "Военный эксперт рассказал о преимуществах российских танков перед западными"
  • 22.12 20:01
  • 3
Еще немного в тему о танках (конечно, не без повторений :))
  • 22.12 07:45
  • 1
Китай показал запуск гиперзвуковых беспилотников с борта воздушных носителей
  • 22.12 03:15
  • 1
Немного о терминах.
  • 21.12 20:11
  • 2756
Как насчёт юмористического раздела?