Войти

Росэлектроника выводит на рынок транзисторы для сетей связи 5G

4654
6
+8
Холдинг «Росэлектроника»
Холдинг «Росэлектроника».
Источник изображения: Ростех

Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех приступил к выпуску нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации. Опытные образцы СВЧ-приборов прошли испытания в составе аппаратуры квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и в настоящее время поставляются более 20 предприятиям для тестовой эксплуатации.


Транзисторы ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток».


Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности - от 9 до 13 дБ, КПД стока - не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.


Разработчиком изделий выступило воронежское АО «НИИ электронной техники» (в составе холдинга входит в Концерн «Созвездие»). Предприятие в настоящее время работает над расширением линейки GaN-транзисторов.


Гетероэпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов на его основе находят все более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. СВЧ/GaN-транзисторы в сетях связи позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот.


Как сообщалось, специалисты московского предприятия Росэлектроники - АО «ГЗ «Пульсар» совместно с совместно с Институтом сверхчастотной полупроводниковой электроники РАН (Москва) ранее провели работы по созданию приемопередающих модулей на основе GaN в диапазонах 23-25 ГГц и 57-64 ГГц.

Права на данный материал принадлежат
Материал передан ВПК.name правообладателем
  • В новости упоминаются
6 комментариев
№1
22.12.2017 02:52
Превосходно!
+2
Сообщить
№2
22.12.2017 09:48
Цитата, q
Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.
Вот молодцы ! Во всем видять только положительные стороны..
По факту, освоили монтаж импортных кристаллов в аналоги импортных корпусов (или прямо в импортные же корпуса), и их измерения, о чем прямо пишут на официальном сайте предприятия.
Цитата, q
Производство кристаллов для продукции НИИЭТ осуществляется лучшими отечественными и зарубежными фабриками.
Нет в России фабрик GaN.
А сколько пафоса в победных реляциях..
+1
Сообщить
№3
22.12.2017 11:49
Появление фабрик GaN в России неизбежно как восход Солнца утром. Потребности создания РЛС заставят.
+2
Сообщить
№4
22.12.2017 13:04
Обидно, что "разводят" нас всяк кому не лень. А между тем, технология низкотемпирарурной керамики GaN, крапйне необходима нам для создания РЛС с АФАР для Су-57, которая по своим характеристикам не уступала бы лучшим западным образцам.
+1
Сообщить
№5
22.12.2017 14:06
Цитата, beka1 сообщ. №3
Появление фабрик GaN в России неизбежно как восход Солнца утром.
Десять лет тому назад несколько ведущих контор России (в том числе и "Пульсар") уже пытались освоить эту технологию. Были получены опытные образцы, но по своим характеристикам они и близко не лежали с тогда уже серийной продукцией компании "Cree".
Но все дружно отчитались, что у нас все ОК, и "освоили" серийный выпуск.
Вот транзистор "Cree" 2010 года выпуска с аналогичными параметрами
А вот картинка ПП9137А с сайта НИИЭТ
Справедливости ради, нужно сказать, что недавно видел статью в каком-то журнале за 2017 год в которой специалисты НИИЭТ описывали GaN-транзистор собственной разработки. Параметры, правда, совсем скромные - около 4 Вт на 2 ГГц, при том, что для ПП9137А заявлено 10 Вт на 4 ГГц, а для ПП9138Б  аж 25 Вт на 4 ГГц.
Цитата, serzhik сообщ. №4
низкотемпирарурной керамики GaN
GaN - это не керамика, это полупроводник, используемый для изготовления мощных СВЧ приборов и крайне необходимый для мобильных АФАР.
+7
Сообщить
№6
23.12.2017 20:53
И тут 5-е поколение (и речь тут не про 3GPP-стандарты). Куда ни ткни - всюду пятое!
+2
Сообщить
Хотите оставить комментарий? Зарегистрируйтесь и/или Войдите и общайтесь!
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ
Ежедневная рассылка новостей ВПК на электронный почтовый ящик
  • Разделы новостей
  • Обсуждаемое
    Обновить
  • 26.06 22:39
Комментарий к "Россия поэтапно улучшает новые танки Т-90М на основе опыта, полученного в ходе боевых действий на передовой (Military Watch Magazine, США)"
  • 26.06 21:56
  • 0
И еще о БМП: комментарий к ""Неуязвимые" M2 Bradley ВСУ горят, у них отлетают башни и лопаются корпуса"
  • 26.06 20:45
  • 16190
Без кнута и пряника. Россия лишила Америку привычных рычагов влияния
  • 26.06 18:34
  • 0
Комментарий к "Вот почему в России нет современных БМП"
  • 26.06 14:13
  • 1
«Качество войны изменится»: Лукашенко рассказал о встрече с посланниками Киева
  • 26.06 06:33
  • 0
Комментарий к "Что было бы, если бы в России не было революции 1917 года?"
  • 26.06 02:42
  • 1
Охотникам на украинские беспилотники требуется прикрытие
  • 26.06 00:31
  • 1
В США удивились «беспрецедентному событию» ВКС России
  • 26.06 00:08
  • 0
Комментарий к "Путин обвиняет НАТО в подготовке к войне против России (Die Welt, Германия)"
  • 25.06 20:06
  • 0
Об ошибках Маркса, точнее, о русском мышлении ("Потрясающие ошибки в «Капитале» и его научная несостоятельность. Почему марксисты этого не видят?")
  • 25.06 13:09
  • 6
Як-130 с оружием "воздух-воздух" может быть прекрасным охотником на БПЛА
  • 25.06 12:01
  • 1
Станут ли «Аннушка» и «Сарай» перехватчиками
  • 25.06 07:01
  • 343
Космонавтика Илона Маска
  • 25.06 03:56
  • 6
О Су-57 - свежая (от 19 июня) статье MWM
  • 25.06 02:16
  • 1
Путин обвиняет НАТО в подготовке к войне против России (Die Welt, Германия)