Войти

Росэлектроника выводит на рынок транзисторы для сетей связи 5G

4138
6
+8
Холдинг «Росэлектроника»
Холдинг «Росэлектроника».
Источник изображения: Ростех

Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех приступил к выпуску нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации. Опытные образцы СВЧ-приборов прошли испытания в составе аппаратуры квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов и в настоящее время поставляются более 20 предприятиям для тестовой эксплуатации.


Транзисторы ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток».


Выходная мощность приборов – от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности - от 9 до 13 дБ, КПД стока - не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.


Разработчиком изделий выступило воронежское АО «НИИ электронной техники» (в составе холдинга входит в Концерн «Созвездие»). Предприятие в настоящее время работает над расширением линейки GaN-транзисторов.


Гетероэпитаксиальные структуры GaN и твердых растворов на его основе находят все более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов. СВЧ/GaN-транзисторы в сетях связи позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот.


Как сообщалось, специалисты московского предприятия Росэлектроники - АО «ГЗ «Пульсар» совместно с совместно с Институтом сверхчастотной полупроводниковой электроники РАН (Москва) ранее провели работы по созданию приемопередающих модулей на основе GaN в диапазонах 23-25 ГГц и 57-64 ГГц.

Права на данный материал принадлежат
Материал передан ВПК.name правообладателем
  • В новости упоминаются
6 комментариев
№1
22.12.2017 02:52
Превосходно!
+2
Сообщить
№2
22.12.2017 09:48
Цитата, q
Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры.
Вот молодцы ! Во всем видять только положительные стороны..
По факту, освоили монтаж импортных кристаллов в аналоги импортных корпусов (или прямо в импортные же корпуса), и их измерения, о чем прямо пишут на официальном сайте предприятия.
Цитата, q
Производство кристаллов для продукции НИИЭТ осуществляется лучшими отечественными и зарубежными фабриками.
Нет в России фабрик GaN.
А сколько пафоса в победных реляциях..
+1
Сообщить
№3
22.12.2017 11:49
Появление фабрик GaN в России неизбежно как восход Солнца утром. Потребности создания РЛС заставят.
+2
Сообщить
№4
22.12.2017 13:04
Обидно, что "разводят" нас всяк кому не лень. А между тем, технология низкотемпирарурной керамики GaN, крапйне необходима нам для создания РЛС с АФАР для Су-57, которая по своим характеристикам не уступала бы лучшим западным образцам.
+1
Сообщить
№5
22.12.2017 14:06
Цитата, beka1 сообщ. №3
Появление фабрик GaN в России неизбежно как восход Солнца утром.
Десять лет тому назад несколько ведущих контор России (в том числе и "Пульсар") уже пытались освоить эту технологию. Были получены опытные образцы, но по своим характеристикам они и близко не лежали с тогда уже серийной продукцией компании "Cree".
Но все дружно отчитались, что у нас все ОК, и "освоили" серийный выпуск.
Вот транзистор "Cree" 2010 года выпуска с аналогичными параметрами
А вот картинка ПП9137А с сайта НИИЭТ
Справедливости ради, нужно сказать, что недавно видел статью в каком-то журнале за 2017 год в которой специалисты НИИЭТ описывали GaN-транзистор собственной разработки. Параметры, правда, совсем скромные - около 4 Вт на 2 ГГц, при том, что для ПП9137А заявлено 10 Вт на 4 ГГц, а для ПП9138Б  аж 25 Вт на 4 ГГц.
Цитата, serzhik сообщ. №4
низкотемпирарурной керамики GaN
GaN - это не керамика, это полупроводник, используемый для изготовления мощных СВЧ приборов и крайне необходимый для мобильных АФАР.
+7
Сообщить
№6
23.12.2017 20:53
И тут 5-е поколение (и речь тут не про 3GPP-стандарты). Куда ни ткни - всюду пятое!
+2
Сообщить
Хотите оставить комментарий? Зарегистрируйтесь и/или Войдите и общайтесь!
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ
Ежедневная рассылка новостей ВПК на электронный почтовый ящик
  • Разделы новостей
  • Обсуждаемое
    Обновить
  • 23.11 05:15
  • 5831
Без кнута и пряника. Россия лишила Америку привычных рычагов влияния
  • 23.11 04:09
  • 1
Начало модернизации "Северной верфи" запланировали на конец 2025 года
  • 22.11 20:23
  • 0
В рамках "корабельной полемики".
  • 22.11 16:34
  • 1
Степанов: Канада забыла о своем суверенитете, одобрив передачу США Украине мин
  • 22.11 16:14
  • 11
Россия впервые ударила межконтинентальной баллистической ракетой по Украине. На что способен комплекс «Рубеж»?
  • 22.11 12:43
  • 7
Стало известно о выгоде США от модернизации мощнейшего корабля ВМФ России
  • 22.11 04:04
  • 684
Израиль "готовился не к той войне" — и оказался уязвим перед ХАМАС
  • 22.11 03:10
  • 2
ВСУ получили от США усовершенствованные противорадиолокационные ракеты AGM-88E (AARGM) для ударов по российским средствам ПВО
  • 22.11 02:28
  • 1
Путин сообщил о нанесении комбинированного удара ВС РФ по ОПК Украины
  • 21.11 20:03
  • 1
Аналитик Коротченко считает, что предупреждения об ответном ударе РФ не будет
  • 21.11 16:16
  • 136
В России запустили производство 20 самолетов Ту-214
  • 21.11 13:19
  • 16
МС-21 готовится к первому полету
  • 21.11 13:14
  • 39
Какое оружие может оказаться эффективным против боевых беспилотников
  • 21.11 12:14
  • 0
Один – за всех и все – за одного!
  • 21.11 12:12
  • 0
Моделирование боевых действий – основа системы поддержки принятия решений