НОВОСИБИРСК, 5 окт - РИА Новости. Сибирские ученые совместно с зарубежными специалистами создали материал, который в перспективе можно использовать для производства гибких дисплеев различных электронных устройств, сообщает в среду пресс-служба Новосибирского госуниверситета (НГУ).
В сообщении поясняется, что результаты мультидисциплинарного исследования в сфере органической электроники опубликовала группа ученых из НГУ, Новосибирского института органической химии (НИОХ), МГУ и Университета Гронингена (Нидерланды). Статья Highly-Emissive Solution-Grown Furan/Phenylene Co-Oligomer Single Crystals опубликована в сентябрьском номере журнала RSC Advances.
"Ученые получили органический полупроводниковый материал на основе фуран-фениленового со-олигомера с квантовым выходом фотолюминесценции более 65%, который может использоваться для создания органических светоизлучающих транзисторов и гибких электронных устройств", - говорится в сообщении.
Один из авторов статьи, сотрудник НГУ и НИОХ Максим Казанцев, чьи слова приводятся в сообщении, отметил, что органические полупроводниковые материалы имеют по сравнению с кристаллическим кремнием (самым распространенным неорганическим полупроводником, используемым в электронике) ряд преимуществ, среди которых - легкость, вариативность свойств, гибкость, полупрозрачность и недорогое производство.
"Органические материалы можно наносить более дешевыми и простыми способами, например, напечатать полупроводниковый слой на принтере, напылить или использовать различные процессы самосборки. Уникальные свойства материалов могут способствовать созданию новых устройств, например, гибкого дисплея, который можно сложить или свернуть в трубочку и положить в карман", - сказал он.
Также ученые в настоящее время занимаются органическими материалами, которые являются не только хорошими полупроводниками, но и имеют интересные оптические свойства, например, могут излучать свет. Так, специалисты синтезировали соединение, материал на основе которого обладает существенно большей растворимостью и имеет высокий квантовый выход фотолюминесценции - 65% по сравнению с 35% у существующего аналога.