Ведущий разработчик Андрей Алтухов назвал сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности ключевым преимуществом устройства
МОСКВА, 7 мая. /ТАСС/. Специалисты Российского технологического университета МИРЭА разработали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза, сообщили в пресс-службе Минобрнауки РФ. По мысли его создателей, новый транзистор (прибор, управляющий электрическим током с помощью электрического сигнала через полупроводник) найдет применение в ядерной энергетике и космической технике.
"Новое устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что значительно улучшает электрофизические характеристики", - отметили в пресс-службе.
Как полагает ведущий разработчик, заведующий лабораторией "Алмазная СВЧ-электроника" Андрей Алтухов, транзистор сможет продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами. "Ключевое преимущество - сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности", - отметил конструктор.
Алмазные транзисторы найдут применение в системах связи нового поколения, радиолокационных станциях, медицинском оборудовании и промышленной электронике. Разработка особенно актуальна для применения в экстремальных условиях - от космической техники до ядерной энергетики, где обычные кремниевые транзисторы быстро выходят из строя.
