Группа ученых из Корейского Университета и Samsung Electronics Corporation разработала новый тип тонкопленочных транзисторов на основе оксонитрида цинка, который значительно «быстрее» предшественников. Подвижность носителей заряда в материале достигает 138 квадратных сантиметров на вольтсекунду, что приблизительно на порядок выше, чем в обычных тонкопленочных транзисторах. Работа опубликована в Applied Physics Letters.
Одним из важнейших элементов твердотельной сверхвысокочастотной (СВЧ) электронной компонентной базы являются усилители мощности на гетероструктурных полевых транзисторах. Они используются для разработки и производства систем беспроводной связи, в том числе стационарной и мобильной телекоммуникационной аппаратуры, высокоскоростной оптоволоконной связи, спутникового и кабельного телевидения, в том числе телевидения высокой чёткости, устройств радиолокации на основе активных фазированных антенных решёток, радиоастрономии, телеметрии, контрольно-измерительной аппаратуры и многого другого.
